[发明专利]体积式微光刻技术在审
申请号: | 202080094196.9 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN114981726A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | A·科斯坚科 | 申请(专利权)人: | 光合有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B29C64/129 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 周阳君 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述了用于体积式微光刻的系统和方法,其中该方法可以包括接收三维目标结构的数据表示,并确定光敏介质体积或构建体积中的多个平面,该多个平面中的每个平面与构建体积中多个深度中的相应深度相关,该多个深度是沿曝光系统的光轴定义。每个平面可以对应于曝光系统的焦平面的可能位置。优选的是,多个深度中的深度是相互不同的。光敏介质可包括用于在光敏介质中引发化学反应的激活化合物,该激活化合物能够被第一波长的光激活。在一个实施方案中,光敏介质可进一步包括用于抑制光敏介质中化学反应的抑制化合物,该抑制化合物能够被不同于第一波长的第二波长的光激活。该方法还可以包括根据三维目标结构的形状和(优选地是)光敏介质的特性,计算曝光图像序列,其中曝光图像序列的每个曝光图像与构建体积中多个平面中的平面有关。每个曝光图像可以与第一波长的光和/或第二波长的光有关。在一个实施方案中,该光可以是强度调制的光。该方法可进一步包括,对于多个平面中的每个焦平面,控制曝光系统将曝光系统的焦平面定位在构建体积中与对应平面相关的深度处,并用与对应平面相关的曝光图像照亮构建体积。 | ||
搜索关键词: | 体积 式微 光刻 技术 | ||
【主权项】:
暂无信息
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