[发明专利]制造二次电池的方法在审
| 申请号： | 202080044652.9 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN114051666A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 金荣宰;柳正宇 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG新能源 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M10/04;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;陈海涛 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造二次电池的方法，所述方法包括如下步骤：形成二次电池结构体，所述二次电池结构体包含电极组件和电解液，所述电极组件包含负极、正极和隔膜；以及在1.5MPa～3.5MPa下压制所述二次电池结构体的同时，通过充电和放电至少一个循环来活化所述二次电池结构体，其中所述负极包含硅基活性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 二次 电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG新能源，未经株式会社LG新能源许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080044652.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：中继攻击判定装置
- 下一篇：将光学元件复制到基板上
