[发明专利]基于热电的红外探测器的单片后互补金属氧化物-半导体集成在审
| 申请号： | 202080027419.X | 申请日： | 2020-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113677618A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 洪婉嘉;彼得.科普尼奇;伊凯.安德.奥贾克 | 申请（专利权）人： | 迈瑞迪创新科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01J5/12;G01J5/02 |
| 代理公司： | 深圳市德锦知识产权代理有限公司 44352 | 代理人： | 陈永晔 |
| 地址： | 新加坡创业道2*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了MEMS区嵌入有微机电系统(MEMS)组件的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。所述MEMS组件例如是红外(IR)热传感器。在CMOS处理之后，MEMS传感器被单片集成在CMOS器件上。例如，MEMS传感器形成在CMOS器件的BEOL电介质上。所述器件封装有CMOS兼容的IR透明封盖，以将MEMS传感器密封在MEMS区。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 热电 红外探测器 单片 互补 金属 氧化物 半导体 集成 | ||
【主权项】：
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