[实用新型]一种基于薄膜工艺的C波段双平衡混频器有效

专利信息
申请号: 202023015005.1 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN214069889U 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 涂小军;郭振;任纪元;赵祎 申请(专利权)人: 深圳市振华微电子有限公司
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16
代理公司: 深圳市诺正鑫泽知识产权代理有限公司 44689 代理人: 罗华
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种基于薄膜工艺的C波段双平衡混频器包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电容C3、第一混频器巴伦和第二混频器巴伦,所述二极管D1与所述二极管D2连接,所述二极管D2与所述二极管D3连接,所述二极管D3与所述二极管D4连接,所述二极管D4与所述二极管D1连接,所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4首尾相接组成环形,所述第一混频器巴伦的1脚与所述二极管D1的1脚连接,所述第一混频器巴伦的2脚与所述二极管D3的1脚连接,所述第二混频器巴伦的1脚与所述二极管D4的1脚电连接,所述第二混频器巴伦的2脚与所述电容C3连接,所述第二混频器巴伦的3脚与所述二极管D2的1脚连接。
搜索关键词: 一种 基于 薄膜 工艺 波段 平衡混频器
【主权项】:
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