[实用新型]薄膜基体镀前等离子体处理设备有效
| 申请号： | 202022672972.9 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN214115692U | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 宋光耀;田修波 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/56;C23C16/02;C23C16/44;C23C16/54 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 陈培琼 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜基体镀前等离子体处理设备，其包括通过连接通道依次连接的放料室、前处理室和镀膜室，连接通道上设有隔板，通过隔板上的狭缝能有效解决了各腔室之间的串气问题，确保各腔室的功能稳定实现。薄膜基体在经过前处理室时通过限位板进行限定，避免在收到离子风时而产生位移，确保基体表面镀前处理效果；而且通过等离子体装置能大大提高Ar原子的离化率，在空间范围内形成高密度的等离子体，有效提升薄膜基体表面的快速镀前清洁能力，进而快速将薄膜基体表面吸附的杂质气体充分释放干净，不仅清洁效果好、速度快，而且确保了薄膜基体镀前表面活性，不易产生变形或断裂现象，镀膜后膜层阻值一致性好，能够实现持续高质量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 基体 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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