[实用新型]交流接触器高介电磁系统有效
申请号: | 202020875006.4 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN212411951U | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 万永刚;王庆蕾;梁亚鹏;冯玥娟 | 申请(专利权)人: | 天水二一三电器集团有限公司 |
主分类号: | H01H50/16 | 分类号: | H01H50/16;H01H50/36;H01H50/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 741001 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种交流接触器高介电磁系统,它包括线圈骨架和磁轭,磁轭的底部安装有中空的船型缓冲底座,缓冲底座的上表面尺寸与磁轭的底部尺寸相适配;本实用新型中绕制线圈的漆包线的出线端位于线圈出线槽内远离磁轭硅钢片两端的中间位置;本实用新型中在磁轭的底部安装了中空的船型缓冲底座,组装好的磁系统不再与交流接触器的金属底板直接接触,加强了金属底板与磁轭的绝缘,极大地提高了交流接触器磁系统的介电等级;通过将线圈的出线端移动至线圈骨架中部远离磁轭硅钢片两端的位置,增大了磁轭与线圈出线端之间的电气间隙,从而增强了交流接触器的可靠性和安全性,本实用新型的介电等级可提升至工频4000V。 | ||
搜索关键词: | 交流 接触器 电磁 系统 | ||
【主权项】:
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