[实用新型]一种磁控溅射设备有效
| 申请号： | 202020347358.2 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN211848118U | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 籍龙占;张晓岚;吴历清;谢丑相;王国昌 | 申请（专利权）人： | 杭州朗旭新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磁控溅射设备，包括镀膜室，镀膜室内划分有第一镀膜区和第二镀膜区；第一镀膜区设置有多个第一阴极，第一阴极呈点阵状分布，任一第一阴极的中心对应待镀膜装置表面的一镀膜点，相邻第一阴极之间具有辉光交叠区，辉光交叠区不覆盖镀膜点；第二镀膜区设置有多个第二阴极，第二阴极呈点阵状分布，任一第二阴极的中心对应任一相邻第一阴极的辉光交叠区。在磁控溅射过程中，通过第一镀膜区以及第二镀膜区的设置，可以实现在磁控溅射过程中点对点的精确镀膜，从而实现二维精确可控的非均匀薄膜生产，并避免遮挡板或掩膜板的使用，从而可以减少表面薄膜材料的浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
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