[实用新型]一种CMOS双稳态振荡器有效
| 申请号： | 202020284249.0 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN211908747U | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 方建平;边疆;张适 | 申请（专利权）人： | 西安拓尔微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 金凤 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS双稳态振荡器，整体电路采用CMOS工艺，包括P沟道增强型MOS管PM1‑PM10，N沟道增强型MOS管NM1‑NM16，电容C1‑C3，电流源IDC1，反相器INV1‑INV4，或非门NOR1‑NOR4以及VCC输入端口、EN_OSC输入端口、VR电压输入端口、HOLD控制输入端口和CLK逻辑输出端口。电路通过比较器电路和逻辑信号处理电路设计，可以产生稳定的开关频率信号，并且可以根据实际需求进行频率的设定。本发明的振荡器采用CMOS工艺，电路设计简单，开关频率误差小，振荡器开关频率灵活可调，可以通过改变电流源IDC1和电压VR的大小，调整开关波形的占空比，从而进行开关频率的改变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 双稳态 振荡器 | ||
【主权项】：
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