[发明专利]集中控制式交错并联电路的均流方法、计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路在审
| 申请号： | 202011644544.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114696638A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 宋琼 | 申请（专利权）人： | 维谛公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219;H02M3/158 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 高占元;邹秋菊 |
| 地址： | 美国俄亥俄州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种涉及集中控制式交错并联电路的均流方法，包括将交错并联电路中的第一并联电路的占空比设置为第一占空比，将所述交错并联电路中的第二并联电路的占空比设置为第二占空比；基于所述第一占空比、所述第一并联电路的三角载波的过零点采样的输入电压和周期值采样的输入电压的电压差值与所述交错并联电路的母线电压值之间的比值设置保证一个开关周期结束时两并联电路电流相等的第二占空比补偿量。本发明还涉及一种计算机可读存储介质和集中控制式交错并联电路。本发明能够以低成本、易实现的方式解决电路间的不均流问题，并且提高第二并联电路的正弦度。 | ||
| 搜索关键词： | 集中控制 交错 并联 电路 方法 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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