[发明专利]一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法有效
| 申请号： | 202011638420.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112733489B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 潘伟伟;杨璐丹 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/39 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种评判栅极上切断层位置对器件影响的方法，包括：获取版图信息，并确定目标图形所在层；将切断层图形分为:与栅极重叠的部分即第一重叠区、与两个第一重叠区接触的部分即切断层连接部，仅与一个第一重叠区接触的部分即切断层端部；将切断层图形上最靠近相邻有源区的侧边沿栅极延伸方向平移至触及相邻有源区，平移扫过的区域上与栅极重叠的部分是第二重叠区；通过判断所述目标器件接触的第一重叠区是否与切断层端部相接触确定目标器件与切断层的相对位置；根据第二重叠区域的高度、切断层图形的尺寸评估对所述目标器件性能的影响。过程简洁，效率高，评判结果可靠，有利于指导器件的工艺设计与生产制造工艺，提高产品的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 评判 栅极 切断 位置 器件 影响 方法 | ||
【主权项】：
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