[发明专利]多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法在审
| 申请号： | 202011637255.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112685903A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 曾然;沈飞翔;陈伟强;杨淑娜;李浩珍;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/11;G06F17/16;G06F111/10 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法，包括以下步骤：步骤一：建立多层各向异性拓扑绝缘体结构模型；步骤二：确定各向异性拓扑绝缘体的电磁特性；步骤三：确定边界条件；步骤四：计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的传输矩阵；步骤五：计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的反射系数；步骤六：计算所述模型下的反射电磁波的极化偏转率和克尔转角；本发明通过传输矩阵法计算了多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应，能够准确地分析多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转特性；本发明能够准确地反映出各向异性拓扑绝缘体表面的磁化方向、层厚度、拓扑磁电极化率、入射角以及各向异性拓扑绝缘体层数等影响因素下反射电磁波的克尔偏转效应。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 各向异性 拓扑 绝缘体 克尔 偏转 效应 计算方法 | ||
【主权项】：
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