[发明专利]一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路在审
| 申请号： | 202011625656.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112667014A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 宋利军;邹亮 | 申请（专利权）人： | 英彼森半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于超低压电压场景的带隙基准电路，包括：第一启动电路、第二启动电路和核心电路；第一启动电路包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和电阻R1；M1的源极、M2的源极以及M3的漏极均接入电源；M1的栅极、M2的栅极和M3的源极彼此连接，并与R1串联后接地；M1的漏极、M2的漏极和M3的栅极均与核心电路连接；第二启动电路包括第四MOS管M4、第五MOS管M5、三极管J1和比较器U1；U1的同相输入端分别与M4的漏极和J1的发射极连接；J1的基极和集电极连接后接地；U1的反相输入端与核心电路连接，输出端与M5的栅极连接；M5的源极接地，漏极与M4的栅极连接；M4的源极接入电源。本发明可以工作在1V甚至更低的工作电压场景下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 低压 电压 场景 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英彼森半导体（上海）有限公司，未经英彼森半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011625656.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种房务共享方法、装置、终端及介质
- 下一篇：一种化纤制备工艺
