[发明专利]一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202011623181.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112821198B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王彦照;张岩;宁吉丰;陈宏泰;李扬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/32 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器技术领域。所述N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层、电极接触层和第一欧姆接触电极，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极；在远离所述N型衬底一侧、自所述第一欧姆接触电极向下设有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N型波导层。本发明通过在N型衬底上先生长隧道结层，然后生长P型材料和N型材料，形成了N面分立而P面连通的半导体激光器芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分立 倒序 结构 激光器 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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