[发明专利]基于FGD NMOS管的电源低电压监测电路在审
| 申请号： | 202011610504.7 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112798919A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王强 | 申请（专利权）人： | 乐鑫信息科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所 11326 | 代理人： | 金钦华;李海 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路，用于监测系统的电源电压VDD是否低于电源电压阈值，其特征在于，包括第一电容器、第二电容器、反相器、第一PMOS管和第一NOMS管；还包括第一电流镜、第二NMOS管、栅极反掺杂NMOS管和第三NMOS管，其中第二NMOS管的栅极用于接收参考电压；第二NMOS管和栅极反掺杂NMOS管的电流密度被调整成使得产生带隙基准电压，从而电源电压阈值为参考电压Vref与带隙基准电压之和，当电源电压低于电源电压阈值时，反相器输出指示信号为低电平。本发明的基于栅极反掺杂NMOS管的电源低电压监测电路具有低功耗、对电源电压下降的响应低延迟而对电源电压上升的响应高延迟的特性，能够方便可靠的方式保证系统中电子器件的稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 fgd nmos 电源 电压 监测 电路 | ||
【主权项】：
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