[发明专利]自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011607504.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112798992B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 徐洁;张浩;杨舒雅;李昭君 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 长沙新裕知识产权代理有限公司 43210 | 代理人： | 刘加 |
| 地址： | 266100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法,所述自偏置磁电复合薄膜包括磁致伸缩材料层和压电材料层，所述磁致伸缩材料层和所述压电材料层一体弯曲为弧形。在本申请实施例中，由于复合薄膜弯曲变形，使得复合薄膜内部产生残损应力，在残损应力的作用下，使得复合薄膜产生内建磁场，具有自偏执效应，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。另外，该自偏置磁电复合薄膜为弧形，当外部的交流磁场变化时，正磁致伸缩材料层拉伸压电材料层，负磁致伸缩材料层收缩压电材料层，加大压电材料层的形变，进而提高传感器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 磁电 复合 薄膜 制备 工具 传感器 及其 方法 | ||
【主权项】：
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