[发明专利]一种超高场发射匀场线圈结构有效

专利信息
申请号: 202011600487.9 申请日: 2020-12-29
公开(公告)号: CN112816923B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 魏子栋;钟继凡 申请(专利权)人: 深圳市联影高端医疗装备创新研究院
主分类号: G01R33/34 分类号: G01R33/34;G01R33/36
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 丁倩
地址: 518017 广东省深圳市福田区福*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种超高场发射匀场线圈结构,包括多个偶极子天线单元,多个偶极子天线单元环绕分布在负载的外侧,且不同的偶极子天线单元与所述负载的中心的间距不全部相等,所述偶极子天线单元包括介质层和偶极子天线,所述偶极子天线设置于所述介质层的一侧,所述介质层远离所述偶极子天线的一侧靠近所述负载分布;其将不同的偶极子天线单元设置为与所述负载的中心的间距不全部相等,进而形成不规则的线圈结构,使线圈在使用过程中部分的偶极子天线单元能够更贴近负载,提高发射效率,另外由于在偶极子和负载之间设置介质层,可以提高天线发射场的匀场调节能力,该线圈结构较现有鸟笼结构具有在超高场下更优的射频场匀场调节能力和发射效果。
搜索关键词: 一种 超高 发射 线圈 结构
【主权项】:
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