[发明专利]确定影响电离辐射的像素化检测器的像素的偏置的方法在审

专利信息
申请号: 202011545488.8 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN113031045A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 西尔万·斯坦基纳 申请(专利权)人: 原子能和替代能源委员会
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20;G01T1/16
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 罗小晨;谢攀
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于确定影响电离辐射的检测器(1)的至少一个像素的偏置(βi,j)的方法,该检测器包括多个像素(10i,j),每个像素被配置成收集由检测器中的电离辐射的相互作用所产生的电荷载流子(6),并且在电荷载流子的产生和收集的作用下形成脉冲信号,像素被分布在矩阵阵列中,该方法包括:a)在检测器中发生相互作用之后,确定在检测时间间隔期间形成了超过幅度阈值的脉冲的像素;b)在步骤a)中所确定的每个像素中,选择产生最高幅度的关注像素;c)选择至少一个远端像素(10f),该远端像素相对于关注像素的位置是预定的;d)测量由每个远端像素所产生的信号的幅度;e)基于在步骤d)中执行的每个测量,在检测时间针对每个远端像素确定偏置。
搜索关键词: 确定 影响 电离辐射 像素 检测器 偏置 方法
【主权项】:
暂无信息
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