[发明专利]多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统在审
| 申请号： | 202011536078.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114740320A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘小红;刘玉伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅的电流能力的测试方法及测试系统，所述方法包括：获取多晶硅的多份不同宽度样品；将样品的温度调整至预设温度，测试预设温度下各份样品的电阻值；预设温度是多晶硅的预期应用温度上限值与多晶硅的焦耳热上限值之和；将样品的温度调整为预期应用温度上限值，并对样品分别施加电流，获取样品达到各自的电阻值时分别对应的电流值；将各电流值作为最大均方根电流密度，代入最大均方根电流密度模型中，计算最大均方根电流密度模型的经验参数；将多晶硅的宽度代入最大均方根电流密度模型中，计算出最大均方根电流密度，作为最大安全电流。本发明不需要特殊的测试设备，可操作性强，测试周期短。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电流 能力 测试 方法 系统 | ||
【主权项】：
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