[发明专利]一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011518351.3 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112398005A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20;H01S5/12;G01N21/39;G01N21/359;G01N21/3504;G01J3/10 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于二氧化碳检测的2051nm激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅；步骤4：二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：在p型表面沉积金属形成p面电极，n面衬底减薄后沉积金属形成n面电极，完成制备。本发明实现CO |
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| 搜索关键词： | 一种 用于 二氧化碳 检测 2051 nm 激光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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