[发明专利]一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011516907.5 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112398000A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知 | 申请（专利权）人： | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/343;G04F5/14 |
| 代理公司： | 武汉江楚智汇知识产权代理事务所(普通合伙) 42228 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于原子钟的795nm边发射激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型GaAs衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下包覆层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、第一上包覆层、填充层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅；步骤4：二次外延光栅覆盖层、第二上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和第二上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：形成p面电极和n面电极，完成制备。本发明具有较高的单模出光功率，偏振特性可通过有源区量子阱的应变进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 原子钟 795 nm 发射 激光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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