[发明专利]使用结合至带有陷阱富集层的高电阻率硅衬底的压电薄膜的滤波器在审
| 申请号： | 202011510981.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113014224A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 帕特里克·特纳 | 申请（专利权）人： | 谐振公司 |
| 主分类号： | H03H9/56 | 分类号： | H03H9/56 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。声学谐振器包括一衬底，具有与一表面相邻的陷阱富集区，和一单晶压电板，具有平行的正面和背面，除了形成隔膜的压电板部分外(其中，所述隔膜跨越在所述衬底中形成的空腔)，背面附接到所述衬底的表面。在单晶压电板的正面上形成叉指式换能器(IDT)，使得IDT的交错的指状物设置在隔膜上。单晶压电板和IDT配置成使得施加到IDT上的射频信号激发隔膜内的一剪切主要声模。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 结合 带有 陷阱 富集 电阻率 衬底 压电 薄膜 滤波器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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