[发明专利]一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法有效
| 申请号： | 202011505635.9 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112612078B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 乔忠良;赵志斌;李再金;陈浩;刘国军;李林;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GOI或SOI上的高效耦合波导及其制备方法，包括：衬底、绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层、锥形波导和扇形波导；在衬底上依次生长绝缘低折射率介质层、本征单晶硅或单晶锗层；在本征单晶硅或单晶锗层上制备锥形波导；锥形波导上制备扇形波导；锥形波导的厚度为0.1～0.4μm，锥形的发散角为3～12°，锥形波导的长度为50～500μm；扇形波导半径为50～500μm，发散角为6～36°，扇形波导厚度从0至0.8μm渐变。本发明使光源或波导同基于GOI或SOI上的波导耦合效率得到提升，大幅提升了光子集成输入和输出的激光效率和工作亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 goi soi 高效 耦合 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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