[发明专利]一种透射型硅基电可调太赫兹动态器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011498907.7 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112787203A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 娄菁;蔡通;梁建刚 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军空军工程大学 |
| 主分类号： | H01S1/00 | 分类号： | H01S1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710051 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种透射型硅基电可调太赫兹动态器件，由下向上依次为硅衬底(1)，金属粘附层(2)、金属层(3)，金属层(3)包括正电极(4)和负电极(5)形成插指电极。硅衬底选用N型高阻硅，金属层包括插指电极(及超构材料结构)，选用铝、金或铂金等高电导率材料。还提供一种透射型硅基电可调太赫兹动态器件的制备工艺，具体步骤如下：在硅衬底上沉积金属粘附层及金属层薄膜；利用光刻、刻蚀工艺将金属薄膜形成插指电极及超构材料结构。本发明提供的透射型硅基电可调太赫兹动态器件及其制备方法，通过金属插指电极在N型高阻硅表面施加不同大小的偏置电流，实现非平衡载流子层厚度与电导率的双重调控，进而实现超构材料谐振开关的完全切换以及太赫兹透射幅值的深度调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透射 型硅基电 可调 赫兹 动态 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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