[发明专利]一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件有效
| 申请号： | 202011495226.5 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112701490B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张琨;谭昌龙;刘娟;田晓华;黄跃武;赵文彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李红媛 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它包括衬底和开口谐振环结构薄膜层；所述开口谐振环结构薄膜层包括N×N个开口谐振环结构周期单元，所述开口谐振环结构周期单元包括一个单开口谐振环结构和对称设置在单开口谐振环结构开口处的两个可弯曲臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tini 形状 记忆 合金 薄膜 动态 调控 多功能 赫兹 材料 器件 | ||
【主权项】：
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