[发明专利]一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202011493415.9 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112614936B 公开(公告)日: 2023-07-11
发明(设计)人: 吴卫华;黄玉凤;徐胜卿;朱小芹 申请(专利权)人: 江苏理工学院
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/10;C23C14/14;C23C14/35
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 马晓敏
地址: 213001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用,由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成,将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期;膜结构表达通式为:[Tix/Sby]a,其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x<10nm;y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y<10nm;a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a<10;x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm,其中(x+y)×a代表所述总膜厚;采用磁控溅射法制得。本发明的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料具有较好的热稳定性及较高的数据保持能力。
搜索关键词: 一种 ti sb 多层 纳米 复合 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用
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