[发明专利]一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器有效

专利信息
申请号: 202011488410.7 申请日: 2020-12-16
公开(公告)号: CN112596155B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 胡国华;祝霖;崔一平;邓春雨;梁玥;喻杭;彭惠民;恽斌峰;张若虎 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/124;G02B6/14
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 杜静静
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器,包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导;其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能,实现低损耗光纤与芯片端面对接,适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口,具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
搜索关键词: 一种 基于 lnoi 材料 插入损耗 端面 耦合器
【主权项】:
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