[发明专利]端面耦合器的制造方法在审
| 申请号： | 202011487553.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112558222A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李博文;曹国威;冯俊波;朱继光 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122;G02B6/124;G02B6/14 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 初媛媛;吴丽丽 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本公开提供端面耦合器的制造方法。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一衬底上的绝缘层以及绝缘层上的半导体层；对半导体层进行图案化以形成第一波导；去除绝缘层和第一衬底的一部分，以形成延伸至第一衬底中的凹槽；形成填充凹槽的第一介质层；在第一介质层和第一波导上形成第二介质层；在第二介质层上形成第二波导，第二波导包括亚波长光栅和传输波导，其中，亚波长光栅用于将从光纤接收的光进行模斑转换，并且将经模斑转换的光传输至传输波导，传输波导的至少一部分在竖直方向上与第一波导的至少一部分对准，从而将在传输波导中传输的光耦合至第一波导中；以及形成覆盖第二波导的第三介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 端面 耦合器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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