[发明专利]一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011459326.2 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112510488B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 乔忠良;赵志斌;李再金;陈浩;刘国军;李林;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/042;H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 571158 *** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GOI结构的诱导应变半导体激光器包括衬底，衬底为N型单晶硅衬底；衬底上表面依次生长二氧化硅或三氧化二铝低折射率氧化物层、单晶锗层；单晶锗层上通过电极工艺和离子注入分区掺杂工艺从左至右依次制备p++重掺杂层、p+限制层、p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层、n+波导层、n限制层、p++重掺杂层；两侧p++重掺杂层上表面分别制备了正、负电极；p波导层、势垒层、n++量子阱层、势垒层和n+波导层之上生长一层三氧化二铝绝缘层；三氧化二铝绝缘层上生长镍膜或铂膜为应力增强层；前、后腔面经过抛光形成前后腔镜面。本发明具有较高的亮度，结构简单，制作工艺简便，易于大批量、高集成度、低成本生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 goi 结构 诱导 应变 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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