[发明专利]基于Nitride斜坡刻蚀的VCSEL芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202011415826.6 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112670819B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王健军;赵风春;张杨;吴敦文;蒋静;王青;尧舜 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/187;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于Nitride斜坡刻蚀的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底；在GaAs衬底上依次生长的N接触层、NDBR层、MQW层、氧化层、PDBR层和P接触层；Nitride膜，Nitride膜设置在P接触层的表面上，Nitride膜在P接触层上形成呈斜坡状的VIA开窗；P电极，P电极设置在呈斜坡状的VIA开窗处，P电极与P接触层直接接触。通过在VCSEL芯片的结构中设置一个呈平滑斜坡状的VIA开窗，由此保证良好的芯片外观的情形下，使钝化层Nitride开窗的坡度呈现一个平滑斜坡，从而有利于P面蒸镀金属爬台，减少P电极金属断线的可能，增加芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nitride 斜坡 刻蚀 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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