[发明专利]一种温度钙离子浓度双参数传感器及制备方法有效

专利信息
申请号: 202011402087.7 申请日: 2020-12-02
公开(公告)号: CN112729596B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 祝连庆;郝家祺;张雯;何巍;何彦霖;孙广开;李红 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: G01K11/32 分类号: G01K11/32;G01N21/25;G01N21/64;G02B6/255
代理公司: 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 代理人: 王琦;庞立岩
地址: 100085 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 为了实现对温度和钙离子浓度的同时测量,本发明提出一种基于光纤内空腔粗锥干涉结构的温度钙离子浓度双参数传感器。本发明采用光纤熔接放电制作内空腔粗锥结构,配合稀释喷涂的的方法在光纤端面修饰钙离子光极膜。制成所需的光纤温度钙离子浓度双参数传感器。本发明的有益效果:采用光纤干涉结构配合钙离子光极的方法,避免了传统电化学法的电测干扰;所发明的器件结构机械强度较好,稳定性可靠;本发明可实现三光束干涉结构,从而实现光谱细分,提高测量精确度。
搜索关键词: 一种 温度 离子 浓度 参数 传感器 制备 方法
【主权项】:
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