[发明专利]一种温度钙离子浓度双参数传感器及制备方法有效
申请号: | 202011402087.7 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN112729596B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 祝连庆;郝家祺;张雯;何巍;何彦霖;孙广开;李红 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | G01K11/32 | 分类号: | G01K11/32;G01N21/25;G01N21/64;G02B6/255 |
代理公司: | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人: | 王琦;庞立岩 |
地址: | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为了实现对温度和钙离子浓度的同时测量,本发明提出一种基于光纤内空腔粗锥干涉结构的温度钙离子浓度双参数传感器。本发明采用光纤熔接放电制作内空腔粗锥结构,配合稀释喷涂的的方法在光纤端面修饰钙离子光极膜。制成所需的光纤温度钙离子浓度双参数传感器。本发明的有益效果:采用光纤干涉结构配合钙离子光极的方法,避免了传统电化学法的电测干扰;所发明的器件结构机械强度较好,稳定性可靠;本发明可实现三光束干涉结构,从而实现光谱细分,提高测量精确度。 | ||
搜索关键词: | 一种 温度 离子 浓度 参数 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011402087.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。