[发明专利]一种重接式电磁发射装置的磁场调控方法有效
| 申请号： | 202011381787.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112484567B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 段雄英;尹红阳;廖敏夫;邱军;王汝凡 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | F41B6/00 | 分类号： | F41B6/00;G06F30/23;G06F119/14 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 戴风友 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电磁发射技术领域，具体涉及一种重接式电磁发射装置的磁场调控方法。所述的调控方法包括以下步骤：S1建立重接电磁发射装置的磁场模型；S2建立重接电磁发射装置的电磁力模型；S3根据磁场模型和电磁力模型添加E型导磁铁芯环绕驱动线圈后侧边；S4根据装置参数计算受力曲线，调整铁芯在线圈内部的宽度。本发明采用硅钢DW465‑50的导磁铁芯填充驱动线圈内部75.56％时，电磁力峰值提高54.35％，反向力出现时间延后4.2％，驱动电流峰值减小8.65％，单级出口速度提高64.67％，单级装置发射效率从13.56％提高到22.52％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重接式 电磁 发射 装置 磁场 调控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011381787.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
