[发明专利]辐照下锆基合金中位错环半径动力学模拟方法及模型系统有效
| 申请号： | 202011371063.X | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112507539B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 吴璐;张伟;信天缘;何文;伍晓勇;潘荣剑;覃检涛;滕常青;方忠强;杨帆;温榜;毛建军;张烁;宋小蓉 | 申请（专利权）人： | 中国核动力研究设计院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/11;G06F111/10;G06F119/14 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 林菲菲 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了辐照下锆基合金中位错环半径动力学模拟方法及模型系统，涉及核材料辐照模拟技术领域，其技术方案要点是：基于反应速率理论方法建立模拟位错结构的演化和辐照生长模型；建立基于演化和辐照生长模型的位错环半径动力学模型；将获取的材料参数作为数值模拟参数输入至位错环半径动力学模型；位错环半径动力学模型根据数值模拟参数模拟计算位错环半径与合金元素含量、晶粒尺寸、温度、剂量率的依赖关系。本发明能够模拟研究辐照剂量对位错环半径、位错密度的影响，还可以用于研究锡和铌作为锆基合金中的合金元素对位错环生长动力学、力学性能和辐照生长的影响，预测范围广，还能够保证计算结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 辐照 下锆基 合金 中位错环 半径 动力学 模拟 方法 模型 系统 | ||
【主权项】：
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