[发明专利]一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法在审
| 申请号： | 202011350907.2 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112479155A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄智鹏;刁梦娟 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02F1/355;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增强二硫化锡纳米片非线性光学性能的方法，取二硫化锡纳米片，采用经蚀刻机产生的等离子体对其进行刻蚀处理，即实现二硫化锡纳米片非线性光学性能的增强。与现有技术相比，本发明通过控制处理时间、气氛、射频源的功率、气体流量、压力等来有效控制二硫化锡纳米片缺陷类型和缺陷数目从而提高二硫化锡纳米片非线性吸收性能，进而获得反饱和吸收性能优异的二硫化锡非线性光学材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 硫化 纳米 非线性 光学 性能 方法 | ||
【主权项】：
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