[发明专利]一种与标准CMOS工艺兼容的EEPROM存储单元结构有效
| 申请号： | 202011347608.3 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112349329B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 万培元;李珍;陈志杰;杨江;徐建皓 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与标准CMOS工艺兼容的EEPROM存储单元结构，该结构包括：存储单元阵列及读出电路。所述的存储单元阵列包括三个MOS管，所述的三个MOS管包括PMOS管M1、PMOS管M2和NMOS管M3。所述的PMOS管M1充当控制栅‑浮栅电容，所述的PMOS管M2充当浮栅‑沟道区电容。所述的NMOS管M3的栅极与所述的PMOS管M1和所述的PMOS管M2的栅极相连。所述的读出电路是利用浮栅上存储的电荷控制一个预充电电容的泄电通路是否导通。本发明采用标准CMOS工艺，无需额外的掩膜或工艺，极大的降低制造成本，且EEPROM存储机制拥有良好的耦合系数，从而拥有更高的处理速度。同时根据不同的操作模式选择不同的晶体管，从而提升EEPROM存储器的性能，增强EEPROM的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 cmos 工艺 兼容 eeprom 存储 单元 结构 | ||
【主权项】：
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