[发明专利]一种自动富集离子的离子门控制方法有效
| 申请号： | 202011329428.2 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112490108B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈创;厉梅;蒋丹丹;肖瑶;李海洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自动富集离子的离子门控制方法，实现离子迁移谱检测灵敏度的提高。在离子门开门期间，两组门电极保持相同的电势，于离子迁移管内形成均匀初始电场；在离子门关门期间，升高其中一组门电极的电势，使其与电离区内紧邻离子门的环状电极保持相同电势，于电离区中形成沿离子源至离子门方向逐渐降低的离子富集电场；离子富集电场的强度低于初始电场的强度，电离源产生的离子向着离子门运动的过程中，离子数密度升高；离子门再起开启时，电离区内恢复初始电场，离子门前被富集离子的离子电流密度被增强，从而在同一离子门有效开门时间下获得更强的离子谱峰信号。本发明无需对离子迁移管进行特殊改造，方法简单，普适性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自动 富集 离子 门控 方法 | ||
【主权项】：
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