[发明专利]横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法在审
| 申请号： | 202011318318.6 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112364593A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 蒋盛烽 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F117/12 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向双扩散晶体管的电路模型及其建模方法，该电路模型包括：标准BSIM4模型；串联于标准BSIM4模型上的栅端‑体端等效电容，包括多个栅端‑体端等效电容修正项系数，用于修正栅端‑体端电容；串联于标准BSIM4模型上的栅端‑漏端等效电容，包括多个栅端‑漏端等效电容修正项系数，用于修正栅端‑漏端电容，其中，该电路模型用于表征横向双扩散晶体管的电容特性。该LDMOS的电路模型及其建模方法在BSIM4模型的基础上，加上了定制的栅端‑体端等效电容和栅端‑漏端等效电容，使得该电路模型在利用BSIM4模型的收敛性、兼容性和较快的仿真速度的同时，也能准确的表征LDMOS的电容特性，克服了BSIM模型无法准确表征LDMOS的电容特性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 电路 模型 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
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