[发明专利]一种基于钛银合金的低功耗CBRAM器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011309719.5 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112420922A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王浩;郑意伟;陈钦;马国坤 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于钛银合金的低功耗CBRAM器件及其制备方法和应用，该低功耗CBRAM器件包括：底电极；插入层，位于底电极一侧表面；阻变层，位于插入层远离所述底电极一侧表面；顶电极，位于阻变层远离所述底电极一侧表面；其中，插入层的材料为Ti、Ag合金材料。本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件，采用Ti、Ag合金代替传统的Ag制备的CBRAM器件，其高低阻态的电阻分布更加集中，进一步提高了器件性能的稳定性；本申请制备得到的基于钛银合金的低功耗CBRAM器件可以在更低的功耗下实现电导的连续调控，这为低功耗忆阻器阵列的搭建以及低功耗类脑神经形态芯片的研制提供了新的可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 合金 功耗 cbram 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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