[发明专利]一种K插入型1T-MoS2在审

专利信息
申请号: 202011295119.8 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112316959A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 罗永明;方健;陆继长;赵玉慧;冯思佑;李雨贝 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J37/02;B01J37/20;C07C319/02;C07C321/04
代理公司: 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 代理人: 王颖
地址: 650500 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种K插入型1T‑MoS2催化剂及其制备方法和应用,包括以下步骤:通过浸渍法将钼酸盐和碳酸盐负载在硅基材料上,在H2/H2S混合气氛下硫化,即得K插入型1T‑MoS2催化剂。本发明通过改变硫化气中H2与H2S的比例,实现MoS2中1T/2H相的改变,1T相含量越高的催化剂,其制备的K插入型1T‑MoS2催化剂催化效果越好。本方法相比于现有技术中各种定向合成K插入型1T‑MoS2催化剂的方法更为简便,为K插入型1T‑MoS2催化剂的大量生产开辟了一条全新的、更加便捷的路线,该方法操作简易,活性高、稳定性好,能高效催化甲硫醇合成。
搜索关键词: 一种 插入 mos base sub
【主权项】:
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