[发明专利]一种黑体辐射源辐射温度的探测方法在审

专利信息
申请号: 202011286298.9 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112414563A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 任宽;江少恩;王峰;董建军;易荣清;余波;理玉龙;张兴;曹柱荣;杨家敏;丁永坤;张保汉 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G01J5/52 分类号: G01J5/52
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李海华
地址: 621999*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种黑体辐射源辐射温度的探测方法,包括以下步骤,步骤1)、采用两通道探测设备对黑体辐射源的辐射温度进行探测,并直接获取两通道探测设备的两个探测通道的响应系数二维分布,设两个探测通道的响应系数二维分布分别为η1和η2,获得响应系数的比值二维分布为k,k=η12;步骤2)、黑体辐射源发出的X射线分别同时穿过两个探测通道,两通道探测设备的两个探测通道分别同时记录X射线穿过其中形成的两幅单能X射线像,两幅单能X射线像对应的黑体辐射源发出的X射线频率为ν1和ν2;步骤3)、利用黑体辐射标准公式,求解关于辐射温度T二维分布的一元方程。通过本方法能够减少标定工作并提高探测效率。
搜索关键词: 一种 黑体 辐射源 辐射 温度 探测 方法
【主权项】:
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