[发明专利]一种光罩工艺误差修正方法在审
申请号: | 202011276292.3 | 申请日: | 2020-11-13 |
公开(公告)号: | CN112180678A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 张家玮;蔡奇澄;黄钲为;周育润 | 申请(专利权)人: | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 张洋 |
地址: | 250000 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光罩工艺误差修正方法,涉及元器件制造技术领域。该方法包括:根据预设曝光强度对器件进行曝光处理;获取曝光处理后的器件表面光罩图案的各区域的多个线宽,区域根据待形成图案的疏密程度划分有疏区和至少一个密区;根据密区的线宽与疏区的线宽的差值,以及每个密区所在的位置,计算密区的预设曝光强度的调整量。上述方法根据曝光处理后光罩图案的变化数据,对曝光光线的反射量进行预估,并对预设曝光强度进行调整,动态地修正光罩工艺中的参数,使得到的光罩图案的线宽在误差允许的范围内稳定波动,降低了光罩生产的成本,也使光罩的品质维持在较高的水平内。 | ||
搜索关键词: | 一种 工艺 误差 修正 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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