[发明专利]新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011270985.1 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112467517A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 尧舜;张颜儒;杨默;戴伟;常露;王青;李军;张杨 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/06;H01S5/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 周慧云 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了新型调制高功率VCSEL芯片及其制备方法，包括依次生长的缓冲层、N型布拉格反射镜、第一量子阱、P型布拉格反射镜、设置在缓冲层远离N型布拉格反射镜的至少部分表面上的第一反向电极、设置在P型布拉格反射镜远离N型布拉格反射镜的表面的边缘的正向电极、设置在正向电极以及正向电极未覆盖的P型布拉格反射镜的表面上的第二量子阱以及设置在第二量子阱远离P型布拉格反射镜的表面的边缘的第二反向电极。通过在最外层生长第二量子阱结构，使得对激光器件的调制不再是对激光器添加电激励，而是通过改变第二量子阱结构的特性来控制激光的出射，大大减小了激光器在接通电源时的驰豫振荡的影响，从而提高了芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 调制 功率 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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