[发明专利]一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011264485.7 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112374911B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 戴煜;吴建;易君 申请(专利权)人: 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司;南昌大学
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C04B41/91
代理公司: 长沙智路知识产权代理事务所(普通合伙) 43244 代理人: 曲超
地址: 410118 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法,该表面处理方法为:将所述石墨基底清洗干净并干燥,放入等离子体改性设备的反应室内,关闭进气阀门,将所述反应室抽真空,然后通入氧气或者氩气将所述反应室充满,调节进气阀门使所述反应室真空度稳定在10‑100Pa,开始射频电源放电,进行氧等离子体或者氩等离子体轰击石墨基底表面,增加石墨基底表面的粗糙度和提高所述石墨基底表面的活性;通过该方法处理后再进行TaC涂层沉积,可使所形成的TaC涂层与石墨基底结合紧密,不易脱落,热抗震性能大大提高;而且工艺简单高效、能耗低、生产成本低且生产周期短。
搜索关键词: 一种 石墨 基底 表面 处理 方法 tac 涂层 制备
【主权项】:
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