[发明专利]一种降低直拉单晶断苞的生产工艺在审
| 申请号： | 202011259858.1 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114481301A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明一种降低直拉单晶断苞的生产工艺，在等径初期拉制过程中，晶体生长高度分为四个阶段，分别为第一阶段、第二阶段、第三阶段和第四阶段；在每一阶段中均包括控制晶体生长的晶体转速、石英坩埚转速和热场温度；从第一阶段到第四阶段中，晶体转速先以初始转速运行后缓慢增大，再以恒定转速运行；石英坩埚转速以从转肩处转入等径初期的初始转速稳定不变；稳定热场温度先以从转肩结束时转入等径初期的初始温度稳定运行后缓慢降低，再以恒定温度继续运行。本发明降低石英坩埚于熔体之间的摩擦，减小杂质出现，避免杂质富集于晶体头部段，降低单晶断苞几率；同时改善熔体热气流对晶体质量的影响，使晶体头部的氧含量有所降低，提高产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 直拉单晶断苞 生产工艺 | ||
【主权项】：
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