[发明专利]用于高压氢环境中的薄膜应变片有效
| 申请号： | 202011238389.5 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112458415B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张雯丽;张林;李晓;张万亮 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/04;G01B7/16;G01L1/22 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 杨小凡 |
| 地址： | 310014 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于高压氢环境中的薄膜应变片，包括基底、设于基底上表面上的过渡缓冲层、设于过渡缓冲层上表面上的绝缘层、设于绝缘层上表面上的功能层；基底采用316L不锈钢材料制成，过渡缓冲层为CrMo膜，绝缘层为AlN‑Al |
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| 搜索关键词： | 用于 高压 环境 中的 薄膜 应变 | ||
【主权项】：
暂无信息
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