[发明专利]基于原子占位有序化行为的高熵合金晶格畸变量计算方法有效
| 申请号： | 202011230742.5 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112349352B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 吴波;刘涟;赵艳;杨开焕;刘扬;白雪;刘俊超;张隆昆;何智汉 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈明鑫;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于原子占位有序化行为的高熵合金晶格畸变量计算方法，包括以下步骤：步骤S1:构建相应的热力学模型；步骤S2:计算高熵合金中各个端基化合物和单质元素的吉布斯自由能热力学数据的离散值；步骤S3:构建高熵合金端基化合物热力学数据库；步骤S4:计算获得给定成分和温度条件下，高熵合金中各种元素在亚晶格上的占位分数；步骤S5:构建出高熵合金中原子实际分布的结构模型；步骤S6:获得结构优化后的结构模型;步骤S7:根据结构优化后的结构模型，代入预设的晶格畸变公式，计算得到高熵合金的总畸变量、平均畸变量和相对晶格畸变量。本发明实现对高熵合金的晶格畸变效应进行定量化计算。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 原子 占位 有序 行为 合金 晶格 畸变 计算方法 | ||
【主权项】：
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