[发明专利]一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体

摘要

本发明的目的是提供一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体，提供更高的灵敏度和综合反应灵敏度的品质因子，包括红外石墨烯基窄带吸收单元，红外石墨烯基窄带吸收单元包括从上到下位的电介质层、缓冲电介质层、石墨烯薄膜、高折射率纳米腔超表面、金属基底，所述高折射率纳米腔超表面的上端面向下开设有孔，孔中填充与电介质层相同的电介质，由于该结构的反射谱宽度0.5 nm，谐振位置吸收率高达97%，所以该结构有助于设计高灵敏度折射率传感器，其中，顶部电介质层作为第一个通道，高折射率纳米腔超表面的纳米深孔阵列作为第二个通道，结果表明该传感器的灵敏度可达500 nm/RIU，综合反应灵敏度的品质因子高达1000/RIU，优于现有技术。