[发明专利]一种温度敏感的准硫化亚铜发光二维半导体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011221740.X | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114437708B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 高明远;宁浩然;荆莉红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/58;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01K11/00 |
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| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种温度敏感的准硫化亚铜发光二维半导体及其制备方法与应用。利用铜‑烷基硫醇配合物的自组装得到了单层准硫化亚铜二维半导体，该准硫化亚铜二维半导体具有温度敏感的光致发光现象。本发明采用的制备方法具有工艺简单、操作简便、成本低廉、方法灵活的特点。本发明制备的准硫化亚铜二维半导体结构上为包含饱和长碳链和铜‑铜键的有机‑无机杂化层状结构，但光学性质由无机铜硫层决定，其发光光谱随温度变化显著，具有作为低温区比率型温度传感材料的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 敏感 硫化 发光 二维 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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