[发明专利]用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法有效
| 申请号： | 202011220177.4 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112355884B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王辰伟;刘玉岭;罗翀;王胜利;孙鸣;高宝红 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/04 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 肖莉丽 |
| 地址： | 300130 天津市红桥*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 互连 阻挡 cmp 速率 选择性 控制 方法 | ||
【主权项】：
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