[发明专利]一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011212839.3 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN112531122B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 刘益春;卞万朋;李炳生;王月飞;马剑钢;徐海阳 申请(专利权)人: 东北师范大学
主分类号: H10K71/00 分类号: H10K71/00;H10K30/10;H10K85/10;C01G19/02;B82Y40/00
代理公司: 深圳云海专利代理事务所(特殊普通合伙) 44846 代理人: 王天桂
地址: 130024 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器及其制备方法,包括以下步骤:步骤1、SnO2微米线的生长制备;步骤2、利用步骤1中所得SnO2微米线制备异质结光电探测器。本发明氧化锡基p/n结宽谱紫外光电探测器,并测试了其光电性能,该器件具有响应度高、响应速度快、稳定性好,响应光谱宽(响应波长区间:200‑350纳米)等特点,所以本发明设计的PEDOT:PSS/SnO2异质结光电探测器件具有重要的研究和应用价值。
搜索关键词: 一种 氧化 结宽谱 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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