[发明专利]光学邻近修正方法在审
申请号: | 202011187204.2 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112230508A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 顾婷婷;张浩;陈翰;宋康 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种光学邻近修正方法,包括:将OPC图形导入OPC软件中,所述OPC图形中具有多个特定图形;选取所述OPC图形中的任一特定图形,对所述特定图形进行光学模拟,以得到模拟图形,将所述模拟图形与所述特定图形重叠,将所述特定图形的相邻的两边分别切割成n段,n≥3;选取n段中的一段或两段作为操作段,分别计算出每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离;根据所述最小距离将对应的操作段移动一单位移动量,每移动一次进行一次光学模拟,以更新所述模拟图形,每次更新所述模拟图形之后,重新计算每个所述操作段与所述模拟图形的最小距离。本发明解决了现有技术中OPC图形的光学邻近修正受栅格切分影响导致OPC图形存在修正误差的问题。 | ||
搜索关键词: | 光学 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011187204.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:硅片处理设备
- 下一篇:一种FL-EM-GMM的医疗用户隐私保护方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备